在 GaAs、InP 等化合物半導體基板上形成高精度光柵。支援 DFB 雷射用 λ/4 相位移與波長調諧，實現高產能量產。
將圖案節距控制在次奈米等級，可在化合物半導體基板上穩定形成高精度光柵並支援量產。
支援 λ/4 相位移光柵與啁啾光柵（節距調變光柵）。透過將設計資訊整合至母模，可高精度且高再現性地量產複雜光學結構。
可達 ±1 um 精度的對位。
可支援 InP、GaAs 等化合物半導體基板從 φ2″ 到 φ8″ 的量產。
從小批量試作到每月 1,000 片等級量產皆可彈性支援，並一貫協助量產導入。
| 項目 | 規格與支援範圍 |
|---|---|
| 支援基板材料 | InP、GaAs 及其他化合物半導體 |
| 基板尺寸 | φ2″ – φ8″ |
| 節距精度 | 次奈米等級控制 |
| 光柵結構 | 均一光柵、λ/4 相位移、啁啾光柵 |
| 對位精度 | ±1 μm 等級 |
| 生產規模 | 每月 10 至 1,000 片（最多每日 50 片） |
| 交期（試作） | 測試圖案製作：約 2 個月加評估 / 模具製作：1 至 1.5 個月 |
在 3 吋 InP 晶圓整面均勻形成 200 nm 節距光柵，達成振盪波長變異控制在 ±0.1 nm 以內。
12 吋 Si 晶圓上的半節距 50 nm L/S
λ/4 相位移結構
殘膜 <30 nm
我們會依照規格與生產規模提出合適方案。歡迎隨時與我們聯絡。
